Diversos estudios advierten que, en las próximas décadas, el volumen de datos digitales almacenados podría convertirse en uno de los principales consumidores de energía a nivel global. Reducir ese impacto energético representa un desafío urgente para la ciencia y la tecnología.
En este contexto, un equipo de investigadores liderado por Saroj P. Dash y Bing Zhao, de la Universidad Chalmers de Tecnología en Suecia, ha realizado un descubrimiento que podría marcar un punto de inflexión. Han desarrollado una solución que integra propiedades magnéticas clave en una estructura cristalina bidimensional, lo que podría transformar el diseño de chips de memoria.
En física e ingeniería, se distinguen dos estados magnéticos esenciales: el ferromagnetismo y el antiferromagnetismo. El primero, común en materiales como el hierro, el níquel y el cobalto, se caracteriza por la alineación uniforme de los electrones, generando un campo magnético perceptible. El segundo, en cambio, implica espines opuestos que se anulan mutuamente, lo que impide la formación de un campo magnético externo. La combinación de ambos estados ofrece ventajas significativas para el almacenamiento de datos, aunque hasta ahora solo se había logrado mediante estructuras multicapa que combinan distintos materiales.
El avance del equipo sueco consiste en lograr esa combinación dentro de un único material bidimensional, con un grosor cercano al de un solo átomo. Esta integración permite la coexistencia de órdenes magnéticos ferromagnéticos y antiferromagnéticos en una sola estructura, lo que reduce el consumo energético en dispositivos de memoria hasta diez veces.
Este hallazgo abre nuevas posibilidades para el desarrollo de sistemas de almacenamiento más eficientes y sostenibles, especialmente en campos como la inteligencia artificial, la telefonía móvil y el procesamiento intensivo de datos. Los detalles técnicos de la investigación han sido publicados en la revista Advanced Materials, bajo el título “Coexisting Non-Trivial Van der Waals Magnetic Orders Enable Field-Free Spin-Orbit Torque Magnetization Dynamics”.
Una innovación que podría redefinir el futuro de la memoria digital.